岡山理科大学 研究・社会連携部 
出願番号 特願2017-220273
希土類水素化物の製造方法、水素センサー及び薄膜トランジスター
- 本学の発明者
- 中村修
- 発明者所属
- 研究･社会連携機構
- 特許出願番号
- 特願2017-220273
- 出願日
- 2017-11-16
- 特許登録番号
- 登録日
- 1904-01-01
- 外国特許出願
- 外国特許登録
- 発明が解決
しようとする
課題 - 低温（ 特に、室温） かつ低濃度水素雰囲気下においても希土類水素化物半導体を生成し得る希土類水素化物の製造方法を提供する。
要約
希土類元素膜上に白金膜が形成された積層膜を水素を含む雰囲気下で熱処理し、膜中の希土類元素が水素化されて希土類水素化物を生成した膜に転化する、希土類水素化物の製造方法。